赛意法半导体
为提高功率密度,该MOSFET 在4.5 V条件下导通电阻典型值降至18.5 mW,达到业内先进水平。比相同封装尺寸接近的竞品器件低16 %。SiZF4800LDT低导通电阻与栅极电荷乘积,即MOSFET功率转换应用重要优值系数(FOM)为 131mW*nC,导通电阻与栅极电荷乘积提高了高频开关应用的效率。 赛意法半导体 先进SmartGS-2 Plus技术加持,以更强性能打造高可靠性视觉检测应用通过高度准确的测量和实时图像采集能力,全局快门传感器在众多工业机器视觉应用场景中得到广泛应用,如检测、识别和分拣,其卓越性能显著改善了图像质量,特别是在消除运动模糊方面,具备明显的优势。因此,全 阅读更多…