瑞萨科技

　　纳微半导体发布的4.5kW高功率密度AI服务器电源参考设计，基于CRPS185外形尺寸，其采用了额定650V、40mΩ的GeneSiC G3F FETs，用于交错CCM TP PFC拓扑上。与LLC级的GaNSafe?氮化镓功率芯片一起，让这款电源实现了138 W/inch的功率密度和超过97%的峰值效率，轻松达到欧盟目前强制执行的“钛金+”效率标准。
瑞萨科技DC/DC、LDO、高边开关等多个品类的汽车级芯片。近，希荻微推出一款80mΩ Rds(on)带电流检测模拟反馈的汽车级单通道高边开关芯片——HL8518，凭借极低功耗、高控制精度和高可靠性的优异性能，获得众多汽车品牌厂商和供应商的青睐。该芯片在恶劣的汽车环境下依然能保持性能稳定，有效提升汽车电源控制系统的安全性和可靠性。
　　该负斜率均衡器采用坚固弹性和紧凑的同轴封装设计，工作温度范围为0℃到+90℃，输入功率为150mw，允许用户安全地传输更大功率，无需担心过载和损坏天线端口。

而欧洲用电产品(EuP)指令规定的待机功耗标准为低于300mW，这就为某些需要执行必要功能的应用场景提供了更多的可用待机功率。
　　虽然该仪器主要用于机架安装，但也可作为独立的台式示波器使用。用户只需通过内置的 DisplayPort 和 HDMI 接口连接外接显示器，或者在浏览器中输入示波器的 IP 地址，即可通过网络接口访问仪器的图形用户界面。作为首款采用电子墨水显示技术的示波器，MXO 5C 在仪器正面的小型非易失性显示屏上显示 IP 地址和其他重要信息，即使在关闭电源的情况下也清晰可见。
瑞萨科技我们很高兴全新第八代BiCS FLASH?技术的2Tb QLC开始送样，”铠侠技术官Hideshi Miyajima表示，“铠侠2Tb QLC产品凭借其业界领先的高位密度、高速传输接口和卓越的能效比，将为快速发展的人工智能应用，以及对功耗和空间要求严苛的大容量存储应用带来新的价值。
骁龙X80 5G调制解调器及射频系统，持续引领创新步伐。骁龙X80集成专用5G AI处理器和5G Advanced-ready架构，实现了多项全球首创的里程碑，包括首次在5G调制解调器中集成NB-NTN卫星通信、首次面向智能手机支持6Rx、下行六载波聚合以及首次面向固定无线接入客户端设备（CPE）支持由AI赋能的毫米波增程通信。
多年来，英飞凌一直专注于加快GaN领域的创新，为现实的功率难题提供有针对性的解决方案。全新CoolGaN Drive产品系列再次证明了我们如何通过GaN帮助客户开发具有高功率密度和高效率的紧凑型设计。

　　为保证可靠性，TX3系列电容器的测试规范比标准商用器件更加严格。每个产品均采用标准筛选法进行100%浪涌电流测试，并对关键电气特性进行二次额外筛查，以消除批次间误差。为提供可靠解决方案，器件容芯和引线框采用硬塑料树脂封装。与MLCC相比，电容器符合MIL-STD-202测试标准，具有更高的抗冲击（100 g）和抗震动（20 g）能力。
瑞萨科技　　意法半导体推出了TSB952双运算放大器 (运放)。新产品具有52MHz的增益带宽，在36V电压时，电源电流每通道仅为3.3mA，为注重功耗的设计带来高性能。
　　此次发布的SC535IoT采用2592Hx1944V分辨率设计，以4:3画幅规格提供更大的垂直空间，并支持双目拼接，更好地赋能球形全景相机与鱼眼摄像头等物联网新机型，为家用IoT摄像头以及其他物联网场景的高效运作提供关键的支持。
　　英飞凌表示，在 16MHz Arm Cortex-M0 MCU 上进行内部处理，该 MCU 与 1MB 的嵌入式串行闪存共享空间，该闪存使用软件预编程，“提供命令接口来配置和使用模块”，无需编程。可以进行无线更新。