英飞凌芯片型号介绍

　　针对电动汽车市场，纳微半导体基于1200V/34mΩ（型号：G3F34MT12K）的G3F FETs，打造了一款22kW、800V双向车载充电机（OBC）+ 3kW DC-DC转换器的应用，能够实现3.5kW/L的超高功率密度和95.5%的峰值效率。
英飞凌芯片型号介绍全新 Intel Xeon 6 处理器将提供 6700 系列和 6900 两个系列，前者是上一代 Intel Xeon 处理器的升级版，后者是全新的处理器，可限度地提高性能。Intel Xeon 6900 系列处理器将具有更多内核、更高的 TDP、更大的内存通道并支持 MCR DIMM。Supermicro X14 平台也是支持 OCP 数据中心模块化硬件系统 (DC-MHS) 的 Supermicro 平台，该系统可降低复杂性并简化大型云服务提供商和超大规模公司的维护。
　　OCP9225AH还具有一个默认版本，将R1空贴，R2改为0欧姆，即可使用默认OVP功能。OCP9225AH默认OVP为6.8V，使用默认OVP，可减少外围器件，达到减小成本的目的。

　　TDK株式会社（TSE：6762）推出全新的IPM01系列产品，进一步扩大了其Flexield坡莫合金薄膜片产品阵容。新产品采用超薄（0.006毫米）、轻量型设计，实现了较高的磁导率和损耗。
推出新系列适合直流支撑应用的爱普科斯 (EPCOS) 电力电容器。新 系列元件的设计工作温度达+105°C；订购代码为 B25695E；额定直流电压范围为 700 V 至 1300 V（温度 ≥+85 °C 时，电压须降额使用）；ESR 范围为 1.0 mΩ 至 2.7 mΩ；+70 °C 时的电流能力高达 110 A，具体视型号而 定（温度更高时，电流须降额使用）。不过，该系列薄膜电容器可反复承受 15.8 kA 的峰值电流，并且在额定 电压和+75 °C 条件下具有长达 100,000 小时的预期寿命。
英飞凌芯片型号介绍　　TimeProvider 4500主时钟极高的时间精度在运营商试图部署 GNSS替代解决方案时显得尤为重要。地面方案通常被认为是一种极具吸引力的解决方案，可以利用现有的光网络部署来避免对全球导航卫星系统的依赖，以具有成本效益的方式实现长距离传输高精度时间。长距离传输意味着对时间信号源和再生的度要求越来越高。
作为市面上第一款击穿电压达到2000 V的碳化硅分立器件，CoolSiC MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封装，爬电距离为14 mm，电气间隙为5.4 mm。该半导体器件得益于其较低的开关损耗，适用于太阳能（如组串逆变器）以及储能系统和电动汽车充电应用。
　　MSD4100WA内部集成的16bits高精度ADC，用于将硅基线性霍尔的模拟信号转成数字信号；H桥恒流驱动模块可以提供±170mA的电流驱动能力；高精度的PID算法搭配美新自有的陀螺相关算法，可以提供压制比优于-35dB的拍照防抖效果。

　　与上一代OptiMOS 3相比，OptiMOS6 200 V产品组合具有更加强大的技术特性，其RDS(on)降低了42%，有助于减少传导损耗和提高输出功率。在二极管性能方面，OptiMOS6 200 V的软度大幅提升至OptiMOS 3的三倍多，且 Qrr(typ)降低了 89%，使开关和 EMI 性能均得到明显改善。该技术还提升了寄生电容线性度（Coss 和 Crss），减少了开关期间的振荡并降低了电压过冲。更紧密的 VGS(th) 分布和低跨导特性有助于MOSFET并联和电流共享，使温度变得更加均匀且减少了并联MOSFET的数量。
英飞凌芯片型号介绍TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也不会降低系统可靠性。CoolSiC MOSFET具有更高的直流母线电压，可在不增加电流的情况下提高功率。
　　VNF9Q20F 用作智能断路器，增强电路板上的电压稳定性，防止 PCB 电路板走线、连接器和线束过热。在防止破坏性过载中，意法半导体新的车规功率开关还支持电容充电模式，允许无危害性的冲击电流存在，因此，能够在大电容负载条件下正常运行。
　　意法半导体推出了TSB952双运算放大器 (运放)。新产品具有52MHz的增益带宽，在36V电压时，电源电流每通道仅为3.3mA，为注重功耗的设计带来高性能。