st microelectronics

　　通常，汽车系统中电子设备的寿命与其工作的温度直接相关，为了确保车辆持久耐用，如功率级场效应晶体管等组件能够长时间正常运行，温度传感器必须保证极高可靠性且漂移量。而传感器材料会影响漂移量，比如基于硅的温度传感器几乎无时漂现象，而电阻式温度传感器的漂移范围大概为每年±0.1°C ~±0.5°C，传统的负温度系数（NTC）热敏电阻的温漂通常会随时间而超过5%（不包括外部组件的漂移）。同时，随着系统的老化，温度传感器误差的增加，会限制系统效率并迫使其提前关闭或导致组件的热损坏。
st microelectronics　　纳微GeneSiC 650V碳化硅MOSFETs成功将高功率能力和行业的低导通电阻（20至55mΩ）相结合，并针对如AI数据中心电源、电动汽车充电和储能以及太阳能解决方案等应用所需的快开关速度、效率和更高功率密度特性进行了专项优化。
　　STGAP2SICSA 在栅极驱动通道和低压控制之间具有电气隔离，可在高达1700V (SO-8) 和 1200V (SO-8W) 的电压工作。其小于45ns 的输入到输出传播时间可确保高PWM 精度，并凭借±100V/ns的共模瞬态抗扰度(CMTI) 实现可靠的开关。内置保护包括欠压锁定(UVLO)，防止SiC电源开关在低效率或不安全条件下运行，以及热关断，如果检测到结温过高，则将两个驱动器输出调低。

　　Laird Connectivity Sera NX040开发套件可用于展示Sera NX040 UWB和BLE模块的特性和功能。此套件包括一块带USB和MHF4L连接器以及NanoUWB、2.4GHz FlexPIFA和NFC天线的开发板。要运行双向测距演示，需要两个开发套件和BL654 USB适配器 (451-00004)。而要运行3D定位演示，则需要四个开发套件及BL654 USB适配器。
「尽管这两款处理器已被多位客户授权并经过量产芯片的验证，我们仍然很高兴看到它们在晶心自家的芯片上首次运行。采用台积电先进的7纳米制程技术制造，QiLai系统芯片和其Voyager开发板充分展现了晶心为支持快速RISC-V软件开发的承诺。
st microelectronics　　OPJ301x系列的推出，进一步丰富了类比半导体在高性能通用运算放大器领域的解决方案，满足了市场对超低偏置电流和高精度信号处理日益增长的需求。无论是医疗设备中的精密信号检测，还是工业自动化测试设备的信号放大，OPJ301x都能提供卓越的性能表现，助力设计工程师实现更高水平的信号处理精度和可靠性。
　　OCH1970VAD-H设计了虚通道可配置磁传感器架构，实时修调静态输出电压、带隙基准、灵敏度热敏偏移、内部偏置点、输出钳位电压等性能参数，为芯片灵活的失调消除和精度匹配奠定基础。
　　半导体业内人士表示，“如果对高通的依赖性增加，三星在与高通的零部件价格谈判中就会处于不利地位，联发科是对抗高通的一张宝贵”。

　　LED符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素，采用8 mm卷带包装，ESD耐压高达2 kV，满足JESD22-A114-B要求，根据JEDEC Level 2a进行预处理，适合J-STD-020红外回流焊工艺和自动拾放贴片机加工。
st microelectronics全新PSOC Edge微控制器（MCU）系列的详细信息，该系列产品的设计针对机器学习（ML）应用进行了优化。新推出的PSOC Edge MCU三个系列E81、E83 和 E84在性能、功能和内存选项方面具有可扩展性和兼容性。它们均配有全面的系统设计工具和软件，使开发人员能够快速将概念转化为产品，并将支持机器学习的全新物联网 (IoT)、消费和工业应用推向市场。
　　得益于升级的背照式像素透镜薄膜和色彩等工艺，SC1620CS的感光度和量子效率(QE)相较前代技术产品皆提升约15%，其低色温(Chroma A)和高色温(Chroma D65)相对提升约15%和7%，即使在拍摄暗光场景时也可输出画面清晰、色彩真实的影像。
　　UM311b在实现性能升级、Active/Idle功耗大幅降低的同时，优化BOM成本，并通过严格的验证测试保证产品高可靠性。高性能、低成本的SATA III ESSD，具备更高性价比，让用户能够更快、更高效地运行业务，真正做到降本增效。