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Nexperia推出了采用5 x 6和8 x 8mm封装LFPAK封装的80和100V MOSFET,Rds(on)范围为1.8至15mΩ,100V器件的Rds(on)范围为2.07mΩ以上。 该公司表示:“许多MOSFET制造商在将其器件的开关性能与其他产品进行比较时,专注于通过低Qg(总)和低Qgd来实现高效率。然而,Nexperia认为Qrr同样重要,因为它会影响尖峰效应,进而影响器件切换过程中产生的电磁干扰(EMI)量。 然湖连接器中国官网单芯片可变反向电缆均衡器。这款突破性IC专为CATV应用开发人员设计,旨在帮助他们升级网络,以满足先进的DOCSIS 4.0标准。DOCSI 阅读更多…